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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Confronto
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
11.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
27
Velocità di lettura, GB/s
11.5
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1756
2545
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
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