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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
41
Intorno -37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
9.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
30
Velocità di lettura, GB/s
13.9
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.7
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2366
3090
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
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