RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
46
Intorno -77% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.2
2,061.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
26
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
12.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
6.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
1970
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link