RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.2
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
6.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
1970
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link