RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
46
Intorno 11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
11
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
9.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
46
Velocità di lettura, GB/s
13.9
11.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.7
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2366
2396
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600D364L11/8G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link