RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
27
Intorno -23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
22
Velocità di lettura, GB/s
13.8
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3066
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link