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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
43
Intorno 5% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
7.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
13.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
43
Velocità di lettura, GB/s
13.9
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.7
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2366
2128
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
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