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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
43
Autour de 5% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
43
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
2128
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
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Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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