RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Comparez
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Note globale
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.8
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
42
Autour de -27% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
14900
Autour de 1.14 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
9.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
17000
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
2286
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link