RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
42
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
14900
Rund um 1.14 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
9.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.6
Speicherbandbreite, mbps
14900
17000
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
2286
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
‹
›
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link