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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB Motivi da considerare
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    12.8 left arrow 9.6
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.0 left arrow 8.6
    Valore medio nei test
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    33 left arrow 42
    Intorno -27% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 14900
    Intorno 1.14 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    42 left arrow 33
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.8 left arrow 9.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.0 left arrow 8.6
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    14900 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2269 left arrow 2286

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB Confronto tra le RAM

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Confronto tra le RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti

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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
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Memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Memoria RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Memoria RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Memoria RAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Memoria RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Memoria RAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Memoria RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Memoria RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Memoria RAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Memoria RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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Memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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