RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Punteggio complessivo
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
28
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
25
Velocità di lettura, GB/s
11.8
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1854
2786
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link