RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Punteggio complessivo
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
28
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
25
Velocità di lettura, GB/s
11.8
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1854
2786
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link