RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Wynik ogólny
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1854
2786
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link