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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Confronto
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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Motivi da considerare
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
65
Intorno -110% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
4.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
31
Velocità di lettura, GB/s
6.1
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
4.2
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
985
2447
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Confronto tra le RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
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