Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB

Punteggio complessivo
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    31 left arrow 65
    Intorno -110% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.4 left arrow 6.1
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    11.2 left arrow 4.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 8500
    Intorno 2.26 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    65 left arrow 31
  • Velocità di lettura, GB/s
    6.1 left arrow 15.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    4.2 left arrow 11.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    985 left arrow 2447
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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