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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
65
左右 -110% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
31
读取速度,GB/s
6.1
15.4
写入速度,GB/s
4.2
11.2
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
2447
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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