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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Gesamtnote
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
65
Rund um -110% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
4.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.2
11.2
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
985
2447
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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