Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB

Gesamtnote
star star star star star
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Gesamtnote
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB

Unterschiede

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    31 left arrow 65
    Rund um -110% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.4 left arrow 6.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.2 left arrow 4.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 8500
    Rund um 2.26 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    65 left arrow 31
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    6.1 left arrow 15.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    4.2 left arrow 11.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    985 left arrow 2447
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche