RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Confronto
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
73
Intorno 41% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
12.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
73
Velocità di lettura, GB/s
12.7
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
1724
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link