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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Confronto
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
73
Intorno 41% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
12.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
73
Velocità di lettura, GB/s
12.7
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
1724
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
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