RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Porównaj
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
73
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
73
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
1724
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link