RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
40
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2890
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link