RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
15
24
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
15
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
23.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
21.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4039
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link