RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
15
24
Около -60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
23
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
21.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
15
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
23.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
21.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4039
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link