RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
13.8
Скорость записи, Гб/сек
6.8
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2179
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link