RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2819
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link