RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
46
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
10.7
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2819
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link