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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
46
左右 -44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
32
读取速度,GB/s
2,909.8
15.1
写入速度,GB/s
1,519.2
10.7
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2819
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
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