RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
46
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.7
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
15.1
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2819
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link