RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сравнить
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
73
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
12.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
73
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
1724
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link