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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Confronto
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Kingston KMKYF9-MID 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,935.8
11.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KMKYF9-MID 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
45
Intorno -29% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
35
Velocità di lettura, GB/s
6,336.8
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,935.8
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1144
2627
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Kingston KMKYF9-MID 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
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