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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Confronto
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
16.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,935.8
10.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
45
Intorno -18% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
38
Velocità di lettura, GB/s
6,336.8
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,935.8
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1144
2829
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
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