RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Comparar
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
6
16.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,935.8
10.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
45
Por volta de -18% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
38
Velocidade de leitura, GB/s
6,336.8
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,935.8
10.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1144
2829
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link