RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Confronto
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
14.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,935.8
10.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
45
Intorno -18% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
38
Velocità di lettura, GB/s
6,336.8
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,935.8
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1144
2298
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link