RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Confronto
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
11
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
45
Intorno -36% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
2,935.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
33
Velocità di lettura, GB/s
6,336.8
11.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,935.8
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1144
2200
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston 99U5402-029.A00LF 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link