RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
41
Intorno 37% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
41
Velocità di lettura, GB/s
13.2
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
3100
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link