RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
50
Intorno 32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
50
Velocità di lettura, GB/s
16.8
12.5
Velocità di scrittura, GB/s
11.3
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2968
2326
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link