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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Compara
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
50
En 32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
50
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
12.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2968
2326
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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V-GEN D4H4GS24A8 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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