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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
比較する
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
総合得点
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
総合得点
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
50
周辺 32% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.8
12.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.3
7.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
34
50
読み出し速度、GB/s
16.8
12.5
書き込み速度、GB/秒
11.3
7.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2968
2326
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
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