Confronto tra le RAM G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Punteggio complessivo

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

22 25

Intorno 12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

14.9 14.2

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

13.5 7.4

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Elenco completo delle specifiche tecniche

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock

no data / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

3679 2104

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns