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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Comparez
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Note globale
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
25
Autour de 12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR5
DDR4
Latence dans PassMark, ns
22
25
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
13.5
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3679
2104
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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