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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
25
Por volta de 12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
7.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR5
DDR4
Latência em PassMark, ns
22
25
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
13.5
7.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3679
2104
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB Comparações de RAM
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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