RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
16.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
49
Intorno -53% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
32
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
3726
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link