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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,066.5
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
49
Autour de -53% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
3726
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparaison des RAM
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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