Confronto tra le RAM Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Punteggio complessivo

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

62 77

Intorno 19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

3 13.1

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Velocità di scrittura più elevata, GB/s

5.5 1,843.6

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 6400

Intorno 3 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

542 1440

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns