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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Confronto
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
28
Intorno 4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
9.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
28
Velocità di lettura, GB/s
16.7
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
17000
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2756
1989
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
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