RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
13.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
1989
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link