RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
1989
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link