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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Motivi da considerare
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
35
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
7.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
31
Velocità di lettura, GB/s
9.8
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
21300
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2126
2892
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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