RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
35
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
31
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2126
2892
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link