RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB против Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Средняя оценка
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
35
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
31
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
14.5
Скорость записи, Гб/сек
7.9
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2126
2892
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link