Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

36 52

Intorno 31% latenza inferiore

Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

10.2 9.1

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8.2 7.9

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

17500 17000

Intorno 1.03 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22 PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2090 2319

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns