Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    36 left arrow 52
    Около 31% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    10.2 left arrow 9.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.2 left arrow 7.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17500 left arrow 17000
    Около 1.03 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    36 left arrow 52
  • Скорость чтения, Гб/сек
    9.1 left arrow 10.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.9 left arrow 8.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    17000 left arrow 17500
Other
  • Описание
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22 left arrow PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Тайминги / частота
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow no data
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2090 left arrow 2319
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения